Princip för halvlederlaserbelysning

Efter att strömmen injiceras på de två elektroderna, exciteras elektronerna i det aktiva materialets atomer i det aktiva skiktet från låg-energitillståndet till det höga energiläget. Dessa högenergielektroner avger ljus när de reduceras från ett hög-energitillstånd till ett låg-energiläge, vilket kallas spontan emission. Det spontant utsända ljuset är inte så rent, det vill säga det innehåller en bredare spektrallinje. Om det spontant utstrålade ljuset är starkt, reflekteras ljuset fram och tillbaka inom halvledarens två speglar. I denna process, för varje ljusenergi med samma fas, är energin överlagrad och större; för varje ljusenergi med inkonsekvent fas, försvagas och blir mindre och mindre. Energin omvandlas till ljusenergi med en specifik våglängd i enlighet med håligheten som bildas av halvledarens två spegelytor och bildar en laser när den svänger. Lasern genereras av så kallad stimulerad strålning. Halvledarens spegel är mjuk och genomskinlig, och lasern kan matas ut från spegeln. Infinansionsskiktets funktion är att koncentrera ljusenergin i det aktiva skiktet för att öka effektiviteten. Våglängden för det ljus som emitteras av halvledarlasern beror huvudsakligen på avståndet mellan halvledarens och spegelytans material.